金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

摘要

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层和信号线，信号线与金属氧化物半导体层通过同一个光罩制程形成在栅极绝缘层上；蚀刻阻挡层覆盖金属氧化物半导体层和部分信号线使得信号线包括覆盖区域和未覆盖区域；导电条与源极和漏极通过同一个光罩制程形成且导电条形成在信号线的未覆盖区域上；绝缘平坦层形成在蚀刻阻挡层上；公共电极和像素电极，相互绝缘地形成在绝缘平坦层上方，公共电极与导电条电连接，像素电极与漏极电连接。金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及其制作方法可提高像素开关的基本性能。