法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-08-12
授权
授权
2013-03-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20121107
实质审查的生效
2013-02-20
公开
公开
机译: 减小泄漏电流的半导体器件和方法,该泄漏电流是由于接触结构的失调而引起的,该泄漏电流是通过增加接触结构化过程的容错性而引起的
机译: 辐射抑制型高速低泄漏CMOS / SOI器件的制造方法
机译: 制造半导体存储器件涉及在掺杂区域中提供保护结构,以抑制栅导体和掺杂区域之间存在泄漏电流路径。