法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-06-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/60 授权公告日:20150729 终止日期:20160515 申请日:20130515
专利权的终止
2015-07-29
授权
授权
2013-09-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/60 申请日:20130515
实质审查的生效
2013-08-21
公开
公开
机译: 集成电路中具有静电放电(ESD)保护功能的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件
机译: 一种用于产生具有氧化作用的沟槽结构的方法,一种用于制造集成半导体电路装置或芯片的方法,一种用于制造半导体元件的方法以及一种利用该方法的半导体集成电路器件,芯片,一种半导体器件的制造方法
机译: 包括LDMOS晶体管,单芯片微波集成电路和方法的半导体器件