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一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件

摘要

一种集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR器件,属于电子技术领域。本发明在传统集成电路芯片ESD防护用LDMOS SCR结构基础上集成一个低压MOS器件,通过所述低压MOS器件来限制内嵌SCR阳极注入的空穴电流,从而提高维持电压Vhold值,提高了器件在高压应用中的闩锁免疫能力;而且该新型结构相比于普通LDMOS器件而言,由于集成了SCR器件,其抗ESD能力得到增强;同时,本发明与Bipolar CMOS DMOS工艺兼容。

著录项

  • 公开/公告号CN103258814B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-07-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201310179910.6

  • 申请日2013-05-15

  • 分类号H01L23/60(20060101);H01L27/07(20060101);H01L29/78(20060101);

  • 代理机构51227 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李顺德;王睿

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 09:27:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-30

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/60 授权公告日:20150729 终止日期:20160515 申请日:20130515

    专利权的终止

  • 2015-07-29

    授权

    授权

  • 2013-09-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/60 申请日:20130515

    实质审查的生效

  • 2013-08-21

    公开

    公开

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