Design and Manufacture of LDMOS Device for Monolithic High/Low Voltage Integrated Circuits

摘要

LDMOS（横向双扩散MOS）具有工作电压高、工艺相对简单、易于与常规工艺兼容等优点，因而它是高压功率集成电路中常用的高压器件。LDMOS结构设计的好坏将直接影响整个集成电路的性能。国外在这方面做了较深入的研究，而国内对于这方面的研究还处于起步阶段，无论是电气参数，还是可靠性等级水平方面均处明显的劣势。因此，研究设计实用并且性能好的LDMOS器件具有重要的意义。本文基于一款荧光灯交流电子镇流器驱动芯片的高低压单片集成电路的功能及其对高压LDMOS器件的耐压要求,利用各种耐高压技术（包括隔离技术、结终端技术和RESURF技术），通过合理设计器件的结构、参数以及高压BCD工艺将此LDMOS器件与低...