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基于纳米管的非易失性存储器件

摘要

本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括:衬底;至少第一和第二电极,设置在该衬底上,彼此间隔开预定距离;导电纳米管,设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触;及支承物,支承该导电纳米管。因此,该存储器件是可擦除非易失性存储器件,其能在即使没有电源供应时保持信息,并确保高操作速度和高集成密度。另外,由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息,所以该存储器件能应用于很多领域。

著录项

  • 公开/公告号CN102394110B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-07-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201110272489.4

  • 发明设计人 柳震奎;李秀一;

    申请日2006-10-26

  • 分类号G11C23/00(20060101);B82Y10/00(20110101);

  • 代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人冯玉清

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:20:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-30

    授权

    授权

  • 2012-05-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 23/00 申请日:20061026

    实质审查的生效

  • 2012-03-28

    公开

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