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金属互连结构及金属层间通孔和互连金属线的形成方法

摘要

一种金属层间通孔的形成方法,包括:在第一介质层和第一金属层上形成种晶层,所述第一金属层嵌于所述第一介质层中;在所述种晶层上形成掩膜图形,所述掩膜图形暴露部分所述种晶层,暴露的所述种晶层覆盖部分所述第一金属层;在暴露的所述种晶层上生长第二金属层;去除所述掩膜图形和承载所述掩膜图形的所述种晶层,以暴露所述第二金属层的侧壁、部分所述第一金属层和所述第一介质层;在所述侧壁、部分所述第一金属层和所述第一介质层上形成阻挡层。以及,一种互连金属线的形成方法,均可减少孔洞的产生。一种金属互连结构,所述金属互连结构包括接触塞、通孔和互连金属线,所述通孔形成于所述互连金属线、所述金属栅极和/或所述接触塞上。

著录项

  • 公开/公告号CN102446811B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201010501703.4

  • 发明设计人 赵超;

    申请日2010-09-30

  • 分类号

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人倪斌

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-25

    授权

    授权

  • 2012-06-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20100930

    实质审查的生效

  • 2012-05-09

    公开

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