退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN102494988B
专利类型发明专利
公开/公告日2014-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN201110403893.0
发明设计人 张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌;
申请日2011-12-07
分类号G01N17/00(20060101);G06F17/50(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人李仪萍
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:19:04
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-07
授权
2012-07-11
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 17/00 申请日:20111207
实质审查的生效
2012-06-13
公开
机译: CMOS器件针对总剂量辐射效应进行了硬化
机译: CMOS器件克服了总剂量辐射效应
机译:深亚微米SRAM电路中最坏情况下的总剂量辐射效应
机译:通过基本器件和像素阵列行为分析评估深亚微米CMOS成像技术的总剂量
机译:放宽验收限制(RAL):一种用于控制0.1- / splμm/ m深亚微米MOSFET器件的参数良率控制的全局方法
机译:一种评估MOS器件总剂量辐射效应的新方法
机译:熔丝灯丝制造一种用于生物可吸收器件的可行的制造方法?用于预防脊柱融合感染的3D印刷夹的开发
机译:主成分分析(PCA)辅助的飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS):一种通用的方法自组装单层和多层膜的研究纳米器件自下而上方法的前体
机译:CmOs器件强化总剂量辐射效应。