用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统

摘要

本发明公开了一种用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统。进一步，本发明涉及一种有效的提高用于将具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的成像性能的OPC方法。该方法包括步骤：确定用于形成模拟图像的函数，该函数表征与光刻过程相关的过程变化；和基于该函数优化每次OPC迭代中每个评估点的目标灰度。在一实施例中，该函数被近似为焦距和曝光的多项式函数，R(ε，f)＝P