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公开/公告号CN114121063A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-03-01
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110885336.0
发明设计人 刘亮;
申请日2021-08-03
分类号G11C7/10(20060101);G11C11/409(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 14:19:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
公开
发明专利申请公布
机译: 用于提高存储锁存器对单事件翻转的敏感性的设备和方法
机译: 具有改进的单事件翻转率降低电路的存储单元
机译:用于纳米级CMOS的单事件双翻转完全免疫和瞬态脉冲可过滤锁存器设计
机译:存在过程和温度变化的单事件多翻转(SEMU)容错锁存器设计
机译:使用代码错误和差拍频率测试方法来识别1 GHz模数转换器中的单事件翻转敏感电路
机译:低功耗应用中的单事件双翻转自恢复和单事件瞬态脉冲可滤波锁存器设计
机译:SRAM的体系结构设计,具有片上错误检测和针对单事件翻转的纠正功能。
机译:具有获得性单侧传导性听力损失的骨传导设备用户的改进水平方向听力
机译:使用代码错误和拍频测试方法来识别1 GHz模数转换器中的单事件翻转敏感电路
机译:飞机高度(中子)的宇宙辐射对低压电子设备的单事件翻转sEU灵敏度的影响