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集成电路的顺序存储电路内单次事件翻转错误的纠正

摘要

本发明名称为“集成电路的顺序存储电路内单次事件翻转错误的纠正”。公开一种用于集成电路的顺序存储电路,其包括存储电路、错误检测电路和输出电路,存储电路包含第一存储元件和第二存储元件,错误检测电路包含两个附加存储元件、比较电路和进一步的比较电路,输出电路用于纠正所述存储电路内任何检测到的错误,并且用于输出输出值。

著录项

  • 公开/公告号CN101714397B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-06-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ARM有限公司;

    申请/专利号CN200910206127.8

  • 发明设计人 V·钱德拉;

    申请日2009-10-09

  • 分类号

  • 代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人李晓冬

  • 地址 英国剑桥郡

  • 入库时间 2022-08-23 09:19:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-04

    授权

    授权

  • 2011-11-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 5/00 申请日:20091009

    实质审查的生效

  • 2010-05-26

    公开

    公开

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