公开/公告号CN114088996A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-25
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州晶晟微纳半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202111238619.2
申请日2021-10-25
分类号G01R1/067(20060101);
代理机构
代理人
地址 215000 江苏省苏州市工业园区胜浦江浦路82号3号厂房
入库时间 2023-06-19 14:17:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 1/067 专利申请号:2021112386192 申请日:20211025
实质审查的生效
机译: 用于半导体器件测试插座的Mems膜,包括Mems Bump
机译: 垂直MEMS探针,垂直MEMS探针卡及其制造方法
机译: 垂直MEMS探针,垂直MEMS探针卡及其制造方法