退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN114038733A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-02-11
原文格式PDF
申请/专利权人 基本半导体(南京)有限公司;
申请/专利号CN202111118759.6
发明设计人 温正欣;和巍巍;汪之涵;郑泽东;喻双柏;
申请日2021-09-24
分类号H01L21/02(20060101);C23C16/32(20060101);
代理机构
代理人
地址 210000 江苏省南京市浦口区桥林街道步月路29号12幢-424
入库时间 2023-06-19 14:09:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-03-01
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2021111187596 申请日:20210924
实质审查的生效
机译: 微观结构特征微处理器的制造方法,包括在衬底的背面上形成保护层,例如在衬底上。绝缘体上硅衬底,使用碳化硅材料
机译: 一种在硅衬底上的绝缘子区域上制造硅的方法以及在硅衬底上的绝缘子上制造硅的方法
机译: 一种在硅衬底上生产改进的异质外延生长的碳化硅层的方法。
机译:硅衬底上三极管等离子体化学气相沉积法在硅衬底上低温异质外延生长3C-SiC
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:使用CVD-生长的3C-SiC播种层,VLS传输将3C-SiC的外延生长在硅衬底上
机译:在硅衬底上生长的异质外延3C碳化硅上的肖特基势垒二极管的电学特性。
机译:在绝缘体上硅衬底上的纳米结构Si岛上外延生长的Ge点的X射线表征
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:分子外延生长在Gaas和硅衬底上的低温Gaas的光电性能。