首页> 中国专利> 一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法

一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法

页面导航

摘要

本发明公开了一种浸没式ArF光刻用的光产酸剂的制备方法。本发明的制备方法包括以下步骤：在溶剂中，将化合物II和化合物III进行如下式的成盐反应，得到所述的如式I所示的化合物。含有通过本发明制得的光产酸剂的光刻胶具有分辨率高、灵敏度高和线宽粗糙度低的优点，具有良好的应用前景。

公开/公告号CN113801048A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-17

原文格式PDF
申请/专利权人上海芯刻微材料技术有限责任公司;
展开▼

申请/专利号CN202110979290.9
发明设计人王溯;方书农;徐森;林逸鸣;
展开▼

申请日2021-08-25
分类号C07C381/12(20060101);C07C309/12(20060101);C07C303/32(20060101);G03F7/004(20060101);
代理机构31283 上海弼兴律师事务所;
代理人王卫彬;马续红
地址 201616 上海市松江区思贤路3600号11号楼东侧
入库时间 2023-06-19 13:45:04

1. 一种浸没式ArF光刻用光产酸剂的制备方法 [P] . 中国专利： CN113801048A . 2021-12-17
2. 一种浸没式ArF光刻用的光产酸剂及其中间体 [P] . 中国专利： CN113754573A . 2021-12-07
3. SALT ACTING AS A PHOTOACID GENERATOR AND A PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING THE SAME SUITABLE FOR ARF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY, KRF EXCIMER LASER LITHOGRAPHY, AND ARF IMMERSION LITHOGRAPHY [P] . 韩国专利： KR20100129189A . 2010-12-08

机译：盐酸盐作为光生酸剂和光阻组合物，其组成适用于ARF准分子激光光刻，KRF准分子激光光刻和ARF浸没光刻
4. Photoresist material for immersion lithography includes polymer that turns soluble to base solution with acid, photo-acid generator that decomposes acid, and quencher capable of neutralizing acid and having reduced mobility [P] . 法国专利： FR2891630A1 . 2007-04-06

机译：用于浸没式光刻的光致抗蚀剂材料包括能被酸溶解为碱溶液的聚合物，能分解酸的光致产酸剂以及能够中和酸并降低迁移率的淬灭剂
5. ArF immersion lithography chemically amplified positive resist composition and a patterning process [P] . 日本专利： JP5678864B2 . 2015-03-04

机译： ArF浸没式光刻化学放大正性抗蚀剂成分和构图工艺