用于极紫外光刻抗蚀剂改善的原子层蚀刻及选择性沉积处理

摘要

本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征，并增加对下伏层的选择性，从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后，可去除帽盖层。