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鹿国庆; 吴义恒; 李伶俐; 卢启鹏;
安庆师范学院物理与电气工程学院,安庆246133;
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室,长春130033;
极紫外光刻; 光刻胶; 平衡关系; 材料设计;
机译:超薄体和埋入氧化物(UTBB)FDSOI技术,具有低可变性和22nm以下节点的电源管理能力
机译:应用于光刻胶研究的极紫外干扰光刻
机译:分子内酯化反应用于50 nm以下光刻胶的负音多酚抗蚀剂
机译:使用单层光刻胶和极紫外光刻技术对多晶硅中100 nm以下特征进行图案转换
机译:用于22nm以下3D器件结构的CD计量的带电粒子成像方法。
机译:硬质光刻胶作为180°C以下表面微加工工艺的牺牲层
机译:PMOSFET以22nm节点CMOS技术为单位使用SIH4和B2H6前体的ALD W填充金属
机译:核心激发的亚稳态水平:应用于光谱学,皮秒极紫外脉冲的产生,以及激光器
机译:作为极紫外线辐射的使用,在使用具有以下特征的极紫外线辐射的光刻装置(10)中。
机译:用于极紫外光刻的反射装置,应用于其的极紫外光刻掩模,投影光学系统和光刻设备
机译:应用于光学器件的光刻胶中的光刻胶玻璃透镜的生产方式,玻璃透镜的生产方式和模具的生产方式
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