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用于亚65纳米光刻的双层抗蚀剂

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摘要

采用含硅量较高(23wt%)的新型光致抗蚀剂实现了55nm的各种特性,获得了较高的耐腐蚀性能,并降低了线条边缘粗糙度.结果还表明,这种新型的光致抗蚀剂与浸没式光刻工艺具有良好的一致性

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来源
《集成电路应用》|2006年第3期|22-25|共4页
作者
Daisuke Kawana; Kazufumi Sato; Sanlin Hu; J.K. Lee; Eric S. Moyer;
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作者单位

Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd.;

Tokyo Ohka Kogyo Co. Ltd.;

Dow Corning Corp.;

Dow Corning Corp.;

Dow Corning Corp.;

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正文语种 chi
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关键词
入库时间 2023-07-24 22:10:58

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