一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件

摘要

本发明涉及一种改善MOSFET雪崩特性的方法及其器件，该方法提供一半导体衬底，半导体衬底上设有外延片，在所述外延片上生长一层栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积一层多晶硅层,在多晶硅层的表面涂光刻胶，采用刻蚀机进行刻蚀，形成第一沟槽；定义P型体区，将多晶硅层增加一层光罩；采用离子注入工艺在所述P型体区内注入P型离子后退火；通过定义P型体区，增加一层光罩，从而可以在增加P型体区注入掺杂浓度情况下，有利于降低寄生BJT基区的电阻；减小P型体区电阻，但不影响沟道浓度，因此可以极大的提高器件雪崩特性的同时，使得器件其它特性保持不变，工艺简单、成本低。