基于UIS测试的SiC MOSFET单脉冲雪崩特性分析

摘要

cqvip:碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的特性受到广泛关注,介绍了非箝位感性开关(UIS)测试原理,搭建雪崩耐量测试平台,分析SiC MOSFET的单脉冲雪崩特性。探究UIS单脉冲测试对器件雪崩特性的影响,测试SiC MOSFET经过多次单脉冲UIS冲击后的雪崩耐量。最后,对比分析不同感性负载大小下器件的最大雪崩能量,得到了感性负载大小将影响器件的雪崩耐量这一结论。