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Alexander Craig;
飞兆半导体公司;
机译:1200V 160MOHM SiC平面栅极MOSFET重复透明 - 型电动开关能力(R-UIS)的比较研究
机译:UIS雪崩击穿条件下功率MOSFET的热反射映射观察
机译:如何选择和比较AVALANCHE或UIS MOSFET
机译:功率MOSFET的边界,无钳位电感开关(UIS),雪崩电流能力
机译:亚阈值区域中基于Mosfets分压器阵列的物理上不可克隆的函数
机译:使用OneDose MOSFET和移动MOSFET对急性淋巴细胞白血病患者的皮肤剂量进行测量和比较
机译:低压配电逆变器中SiC MOSFET,IGBT和Si MOSFET的比较
机译:具有mOsFET的雪崩模式的spicetron的spICE宏模型
机译:MOSFET低雪崩能量低雪崩能量架构,用于大电流MOSFET开关
机译:带有斩波放大器的MOSFET比较器-具有偏置电压调节MOSFET,补偿MOSFET和用于每个放大器级反相输入的输入
机译:MOSFET控制电路,用于电力电子应用,具有比较器以接收经过MOSFET的滤波电压,并包括产生比较结果的电压输入
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