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顾晓健;
万代半导体(上海)有限公司;
POWER; MOSFET; UIS; 导通电阻;
机译:功率MOSFET器件的功率能力限制
机译:汽车MOSFET中潜在的功率器件的存在是英国工厂生活能力的1.6倍
机译:SI功率MOSFET的选择方法,用于增强SIC电源MOSFET短路能力,基本(EMM)拓扑
机译:功率MOSFET的边界,无钳位电感开关(UIS),雪崩电流能力
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:用于高频脉冲回波仪表的高压功率放大器的功率MOSFET线性化器
机译:通过优化驱动器电路来改善低介电强度和高载流能力的功率MOSFET的开关和工作特性
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。
机译:具有改善的非钳位电感开关(uis)性能的功率沟道MOSFET及其制备方法
机译:功率MOSFET,包括该功率MOSFET的半导体器件以及制造该功率MOSFET的方法
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