首页> 中文会议>四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会 >功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法

功率MOSFET的UIS能力评估与改善方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

器件的可靠性一直是功率电力电子器件设计的一个核心问题.功率MOSFET的UIS(非钳位感性开关)特性是衡量其可靠性的重要指标.本文系统论述了功率MOSFET器件UIS能力的测试原理、器件失效机制、影响UIS能力的因素,并结合具体实例提出了改善功率MOSFET器件UIS能力的几种方法.

著录项

来源
《四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会》|2012年|180-183|共4页
会议地点成都
作者
LI Guo; 李果; REN Min; 任敏; LI Ze Hong; 李泽宏; ZHANG Jin Ping; 张金平;
展开▼
作者单位

四川省电子学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
功率金氧半场效晶体管; 非钳位感性开关; 结构设计; 可靠性评估;
入库时间 2022-08-17 11:06:43

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 改善功率MOSFET器件UIS测试能力的方法 [J] . 顾晓健 . 电子工程师 . 2008,第8期
2. 理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量 [J] . 刘松 ,葛小荣 . 今日电子 . 2010,第004期
3. 论企业员工培训效果评估的影响因素和改善方法 [J] . 毕秀杰 . 经济视野 . 2016,第5期
4. 子宫内膜容受性的评估及改善方法 [J] . 王蕾 ,段金良 . 医学信息 . 2014,第008期
5. 心脏死亡器官捐献供肾质量评估和改善方法的新进展 [J] . 冼颖欣 . 器官移植 . 2013,第002期
6. 缓冲层对提高功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟 [C] . 高一星 ,胡冬青 ,贾云鹏 . 第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 . 2011
7. 关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究 [A] . 顾晓健 . 2008

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号