关于改善功率MOSFET器件的UIS测试能力的方法研究

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介绍了功率MOSFET器件的UIS(非钳位感应开关)测试原理及重要性,通过实际案例,解释UIS与产品质量之间相互关系,分析影响UIS能力的因素,提出改善功率MOSFET器件的3种方法,即改善contact工艺、减小RB,改变设计. 实际案例中的两种MOSFET器件A和B应用了这3种方法的组合,使功率MOSFET器件的UIS能力和测试合格率有了很大的提升.

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作者
顾晓健;
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作者单位

上海交通大学;

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授予单位上海交通大学;
学科软件工程
授予学位硕士
导师姓名施国勇,黄臻;
年度 2008
页码
总页数
原文格式 PDF
正文语种中文
中图分类测量和检验;
关键词
非钳位感应开关; 器件测试; 产品质量; 测试合格率;

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