基于电学法的功率MOSFET器件芯片温升测量方法研究

摘要

热性能是功率器件重点关注的对象,热失效已成为影响功率器件可靠性和使用寿命的重要因素.以SiC MOSFET功率器件为试验对象,设计测量电路,研究器件栅极开启延迟时间与芯片温升之间的对应关系,提出一种栅极开启延迟时间作为温敏参数的功率MOSFET器件测温方法,实现了该类器件芯片温度的精确测量.