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王俊杰; 郭清; 盛况;
浙江大学 浙江 杭州 310027;
SiCMOSFET; 雪崩耐量; UIS测试;
机译:GaN / 4H-SiC异质结雪崩光电二极管中的乘法宽度依赖性雪崩特性
机译:建构主义接地理论研究,通过患有护理(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)的个人来探讨同情 )(SiC),(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC)(SiC) 。
机译:重复雪崩冲击下SiC功率MOSFET动态特性退化的综合研究
机译:具有不同JFET区域宽度的平面栅极SiC MOSFET的雪崩可靠性及其与特性性能的平衡
机译:大面积雪崩光电二极管的特性,用于测量40K到40Ar基态的电子俘获衰减
机译:高紫外线检测效率的4H-SiC分离吸收电荷和倍增雪崩光电二极管结构的优化策略
机译:新型4H-SiC雪崩光电二极管的光电特性建模
机译:宽间隙半导体,siC和GaN的低频噪声特性研究,以及siC基功率器件,二极管和晶闸管的主要特性
机译:摩擦学特性测量的探讨
机译:制造半导体器件的方法,用于处理基体的方法,用于基体的处理设备以及能够形成具有低温特性的,基于SiC的层的,能够形成具有SiC的层的非过渡性计算机可读记录介质
机译:具有梯度特性的功能梯度SiC / SiC陶瓷基复合材料,适合涡轮发动机应用
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