SiC MOSFET
SiC MOSFET的相关文献在2013年到2022年内共计127篇,主要集中在电工技术、无线电电子学、电信技术、自动化技术、计算机技术
等领域,其中期刊论文104篇、专利文献23篇;相关期刊52种,包括工业仪表与自动化装置、电测与仪表、电工电能新技术等;
SiC MOSFET的相关文献由331位作者贡献,包括文阳、杨媛、张建忠等。
SiC MOSFET
-研究学者
- 文阳
- 杨媛
- 张建忠
- 杨霏
- 翟国富
- 叶雪荣
- 张艳肖
- 曹玉峰
- 李辉
- 王浩南
- 赖耀康
- 郑琼林
- 韩芬
- 伍文俊
- 吴军科
- 吴海富
- 孙铭泽
- 张宏宇
- 张雅倩
- 徐德鸿
- 李建成
- 李艳
- 梁美
- 石浩
- 范兴明
- 蔡雨希
- 陈敏
- 何志志
- 俞晓丽
- 倪炜江
- 卞正达
- 古书杰
- 叶春显
- 吴健文
- 吴沛飞
- 周郁明
- 孙鹏
- 张铭
- 彭咏龙
- 徐长福
- 李乐乐
- 李亚斌
- 李宗鉴
- 李艳伟
- 李虹
- 杜泽晨
- 杨永明
- 柯俊吉
- 梁海刚
- 江希
-
-
周泽坤;
曹建文;
张志坚;
张波
-
-
摘要:
凭借碳化硅(SiC)材料的宽禁带、高击穿电场、高电子饱和速率和高导热性等优点,SiC MOSFET广泛应用在高压、高频等大功率场合。传统基于硅(Si)MOSFET的驱动电路无法完全发挥SiC MOSFET的优异性能,针对SiC MOSFET的应用有必要采用合适的栅驱动设计技术。目前,已经有很多学者在该领域中有一定的研究基础,为SiC MOSFET驱动电路的设计提供了参考。对现有基于SiC MOSFET的PCB板级设计技术进行了详细说明,并从开关速度、电磁干扰噪声以及能量损耗等方面对其进行了总结和分析,给出了针对SiC MOSFET驱动电路的设计考虑和建议。
-
-
王梓丞;
赖耀康;
王浩南;
曹玉峰;
叶雪荣;
翟国富
-
-
摘要:
准确的SiC MOSFET SPICE模型在产品仿真、研发和检测等领域会发挥重要作用。介绍了一种SiC MOSFET建模方法,通过自动拟合与考虑物理意义的图形化修正技术相结合,完成了对CPM3-0900-0010A型号元件的SiC MOSFET SPICE模型建立和修正。建立的模型特性曲线与产品参数手册提供的实测曲线良好贴合。建模过程中产生的关键参数和产品参数手册提供的参数更加符合,提高了仿真模型的严谨性和准确性。建立的模型经过与实际测试的对比,拟合效果较好,可以为含有SiC MOSFET的复杂电路仿真方法提供依据,为更准确地评估SiC MOSFET的性能和系统特性提供支持。
-
-
黄勇胜;
张建忠;
王宁
-
-
摘要:
随着SiC MOSFET开关频率的不断增加,逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂直通短路,这限制了SiC MOSFET开关频率的进一步提高。该文提出一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路,通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路,能够在SiC MOSFET关断期间完成负压到零压的变化,同时不需要使用有源器件。当SiC MOSFET开通时,辅助电路让栅极电压从0.7V上升而非负压上升,相较于传统驱动电路,开关速度更快、开关损耗更低;而且同时具备抑制正向串扰和反向串扰的优点。该文分析电路的参数设置,并通过仿真和实验验证了该电路相对于传统驱动电路的优势。
-
-
张宇;
张志锋
-
-
摘要:
针对基于SiCMOSFET的高频逆变器,提出了一种散热系统的实用设计方法,首先对Si CMOSFET进行损耗计算,考虑了驱动电阻、直流母线电压以及电流等对Si CMOSFET损耗的影响,使计算结果较为准确。其次,建立散热系统的热阻模型,计算工作时各点的温度,在此基础上设计了一套强迫风冷系统,并运用F loT H E R M热仿真软件进行热仿真。将计算结果与仿真结果进行比较,证明了此设计的合理性。
-
-
文阳;
杨媛;
宁红英;
张瑜;
高勇
-
-
摘要:
随着电力电子技术的飞速发展,SiC MOSFET以优异的材料特性在高频、高压、高温电力电子应用中展现了显著的优势。然而,SiC MOSFET较高的开关速度与较弱的短路承受能力对短路保护技术带来了新的挑战。该文首先介绍SiC MOSFET不同短路类型以及短路测试方法;其次对SiC MOSFET短路失效模式及失效机理进行分析;然后详细梳理现有SiC MOSFET短路检测与短路关断技术的原理与优缺点,讨论现有SiC MOSFET短路保护技术在应用中存在的问题与挑战;最后对SiC MOSFET短路保护技术的发展趋势进行展望。
-
-
王宁;
张建忠
-
-
摘要:
随着SiC MOSFET的推广,其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动(AGD)电路作为一种新型驱动电路,已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。首先,该文分析AGD电路的工作原理,给出不同驱动参数对开关特性的影响;其次,着重探讨阈值触发型AGD电路的工作模式,分别从暂态定位技术、逻辑处理架构和功率放大拓扑三方面对AGD电路进行归纳总结,并评价不同技术的优缺点,给出AGD电路设计的建议流程;最后,展望基于SiC MOSFET开关轨迹优化的AGD电路的发展趋势。
-
-
韩芬;
张艳肖
-
-
摘要:
第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性,以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路,测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压,以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。
-
-
周力;
周龙;
王欣;
谢成龙;
安群涛
-
-
摘要:
碳化硅(SiC)材料新一代宽禁带(WBG)功率器件具有阻断电压高、通态电阻低、开关损耗小、耐高温等优异的性能,在电机驱动系统中具有广泛的应用潜力。本文将SiC MOSFET应用于燃油泵高速永磁同步电机系统中,降低系统散热体积,提高功率密度。为提高电流环动态响应,通过优化电流采样时刻对电流环进行了改进,实验结果表明系统获得了良好的性能,并扩宽了电流环带宽。
-
-
王浩南;
曹玉峰;
赖耀康;
胡彩霞;
张宏宇;
王梓丞;
翟国富
-
-
摘要:
SiC MOSFET因其耐高温、高压的优点,被广泛应用于大功率固态功率控制器的设计中。针对固态功率控制器工况,选用裸片封装的SiC MOSFET,对功率模块的堆叠结构进行设计及热阻分析;对键合结构的选型与布局进行设计;对封装连接铜线、铜带的热影响进行分析。在封装设计基础上,通过有限元仿真对功率模块热性能进行评估。最后,搭建平台进行单路热测试。结果验证了仿真的准确性,以及封装设计的合理性。
-
-
李鑫;
罗毅飞;
史泽南;
王瑞田;
肖飞
-
-
摘要:
碳化硅(SiC)材料因其在禁带宽度、击穿电场、电子饱和速度等方面的优势,使得SiC MOSFET具有高频、高压以及高温等优势。然而SiC MOSFET的特殊材料、结构以及高开关速度使得开关瞬态过程中器件内部的物理机理更为复杂。传统的SiC MOSFET模型沿用了部分硅(Si)器件的建模方法,难以准确评估器件在装置中的动静态特性。为此,该文提出一种基于物理的SiC MOSFET改进电路模型。基于器件的工作机理,分析传统SiC MOSFET模型的不足,并针对不足进行改进建模。电流扩散方式是影响SiCMOSFET静态特性的重要因素,由于器件N-漂移区较窄,导致漂移区电流扩散呈梯形,进而对漂移区电阻进行改进建模。SiC MOSFET开关瞬态模型刻画了器件的高频应用特性,基于突变结、穿通特性以及负电压关断分别对器件结电容进行改进建模。最后基于CREE 1200V/325A的SiC MOSFET器件进行实验,仿真与实验具有较好的一致性,验证了改进模型的准确性。