Performance evaluation; Heating systems; MOSFET; Silicon carbide; Failure analysis; Switches; Reliability engineering;
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET级联配置的开关性能比较
机译:600 V级混合SiC JFET和Si超结MOSFET的通态和开关性能比较
机译:用于雪崩模式下并行连接的SIC-JFET的电流平衡的栅极驱动电路
机译:栅极氧化物厚度对1200 V 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的电学特性的影响
机译:1.2 kV 4H-SiC平面栅极功率MOSFET的设计,分析和优化,用于改进的高频切换
机译:使用双层门绝缘子在GaN-on-Si垂直沟槽MOSFET中:对性能和可靠性的影响
机译:SiC JFET和SiC JFET / Si MOSFET共源共栅配置的开关性能比较
机译:siC DmOsFET和JFET的高温性能比较(预印)