一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路

摘要

本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T₁，T₂输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n‑mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n‑mos管的漏极与第二n‑mos管的漏极连接，第一n‑mos管和第二n‑mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n‑mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。