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一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特性的方法

摘要

本发明公开了一种雪崩光电探测器和提高雪崩光电探测器高频特征的方法,所述雪崩光电探测器用于探测目标探测光,并包括纵向依次排列的吸收层(8)、第一电荷层(61)、倍增层(5)、第二电荷层(62)和渡越层。吸收层(8)用于吸收目标探测光,将目标探测光的光子转化为光生自由载流子对;第一电荷层(6)用于调控器件内部电场分布;倍增层(5)用于使进入其中的自由载流子引发雪崩效应,产生雪崩载流子对,雪崩载流子对中的一种类型的载流子经由所述渡越层(9)纵向漂移至所述雪崩光电探测器的一端。本发明能更好地调节雪崩光电探测器的电容和载流子渡越时间,有利于其高频特性的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN103077996A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-05-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201310049958.5

  • 发明设计人 李彬;韩勤;杨晓红;

    申请日2013-02-08

  • 分类号H01L31/107;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人宋焰琴

  • 地址 100083 北京市石景山区清华东路甲35号

  • 入库时间 2024-02-19 18:53:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-11-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/107 申请公布日:20130501 申请日:20130208

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2013-06-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/107 申请日:20130208

    实质审查的生效

  • 2013-05-01

    公开

    公开

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