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一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置

摘要

本发明公开了一种SiC雪崩光电二极管的无损缺陷检测方法及装置,利用位错的发光规律,通过SiC雪崩光电二极管在雪崩击穿下的发光图像,辨别SiC雪崩光电二极管有源区内是否存在位错缺陷,进行高质量SiC雪崩光电二极管筛选,是一种成本低、操作简单的无损检测方法。本发明与其他位错检测方法相比,所用设备(探针台、源表、COMS相机)均为微电子器件研究的常用设备,系统搭建简单、成本低、操作简单。

著录项

  • 公开/公告号CN114136994A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-03-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡学院;

    申请/专利号CN202111443343.1

  • 发明设计人 苏琳琳;杨成东;马文烨;张见;

    申请日2021-11-30

  • 分类号G01N21/95(20060101);G01N21/01(20060101);G01R31/26(20140101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘莎

  • 地址 214105 江苏省无锡市锡山大道333号

  • 入库时间 2023-06-19 14:23:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-03-04

    公开

    发明专利申请公布

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