一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有同质栅极金属的新型CMOS反相器及其制备方法，该反相器包括设置于衬底上的p型JLFET以及n型MOSFET，p型JLFET与n型MOSFET之间通过浅槽沟道隔离结构隔离开，p型JLFET与n型MOSFET的栅电极相互连接并作为CMOS反相器的输入端，p型JLFET与n型MOSFET的漏极相互连接并作为CMOS反相器的输出端，p型JLFET的源电极接高电源端，n型MOSFET的源电极接地；其中，p型JLFET是具有埋层结构的积累模式JLFET。本发明通过引入具有埋层结构的p型JLFET，改善了反相器中n型器件和p型器件的对称性问题，使得反相器的转换性能更优秀；同时，还可以使n型器件和p型器件采用相同功函数的栅极金属，简化了栅极设计，降低了工艺复杂度。