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机译:一种具有多层栅极氧化物的新型沟槽栅极MOSFET,可实现高可靠性操作
Trench gate MOSFET; Multi-layer gate oxide; Power device;
机译:一种具有多层栅极氧化物的新型沟槽栅极MOSFET,可实现高可靠性操作
机译:通过栅极植入的超薄栅极氧化物MOSFET,具有无角寄生的浅沟槽隔离
机译:带底部氧化物保护层的4H-SiC沟道MOSFET的沟道沟道栅结构的影响
机译:先进的浮动岛和厚底氧化物沟槽栅极MOSFET(FITMOS)通过被动孔门的AC操作期间减少了RONA,并通过椭圆浮岛改进了BVDSS rona折衷
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:具有多个外延层的150–200 V分离栅沟道功率MOSFET
机译:低导通电阻的SiC沟槽/平面MOSFET,具有减少的截止态氧化物场和低栅极电荷
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响