一种低封装厚度的板级扇出型MOSFET器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低封装厚度的板级扇出型MOSFET器件及其制作方法，其中，方法包括以下步骤：在载板上设置临时键合胶层，并在临时键合胶层上设置MOSFET芯片和互通铜柱；在临时键合胶层上设置第一塑封层；拆除载板和临时键合胶层；在第一塑封层上设置介电材质层，并在介电材质层制作重布线层；在第一塑封层另一面上通过引线键合连接MOSFET芯片的衬底和互通铜柱；在第一塑封层上设置第二塑封层。本申请实施例的制作方法通过互通铜柱、重布线层、引线实现MOSFET芯片线层连接以构成MOSFET器件所需的PN结，使得引线无需采用大弧度绕线的方式规避MOSFET芯片外端，令引线设置高度更低、弧度更小，从而减少了MOSFET器件的封装厚度。