一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺

摘要

本发明公开一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺，包括壳体、金属热沉、GaN微波功率芯片、电容、电极支架和管帽，GaN微波功率芯片包括SiC衬底，SiC衬底上生长GaN HEMT外延结构，GaN HEMT外延结构包括氮化铝层、非掺杂GaN层、铝镓氮层多层结构，GaN HEMT外延结构上通过蒸发和剥离形成栅极，栅极两侧设置有源极和漏极，源极和漏极与GaN HEMT外延结构形成欧姆接触，源极、漏极、栅极之外的GaN HEMT外延结构上淀积SiN薄膜。本发明具有禁带宽度大，耐压能力高和电子饱和速度高等优势，对5G基站的性能有全面的提升，在微波通信方面的应用具有很大前景。