技术领域
本发明涉及微波功率器件技术领域,具体为一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构。
背景技术
氮化镓属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一,器件1990年开始用于发光二极管中,开启了其商业化大门,氮化镓具有作为一种宽禁带半导体,其具有禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子迁移速率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等特性,适合制作高频、大功率、高密度集成和抗辐射的电子器件,广泛应用智能电网、高速轨道交通等电力电子领域及5G基站、雷达等微波射频,在电子器件领域,氮化镓更适合高频、高功率、低压应用领域,在射频应用方面,氮化镓具有更高的电子饱和漂移速度和更大的禁带宽度,导通损耗较低,适用于大功率、高频的射频应用。
在利用氮化镓制作微波功率器件时,往往采用陶瓷材料做管帽结构,陶瓷材料特别昂贵,为此提出一种成本低廉的LCP材料作为GaN微波功率器件的管帽结构。而LCP材料的管帽结构如何设计,散热结构如何处理,则成为本行业技术人员的难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,包括基板,所述基板顶部固定连接有固定机构,所述固定机构包括固定框,所述固定框内部固定连接有盖板,所述盖板顶部固定连接有固定块,所述盖板外侧均固定连接有第二斜块,所述固定框内部均固定连接有第一斜块,且第二斜块和第一斜块相适配。
优选的,所述固定框内部开设有凹槽,所述凹槽内部均固定连接有限位块,所述限位块内部开设有滑动槽,所述滑动槽内部滑动连接有滑动条,且滑动条一侧和盖板固定连接,所述凹槽底部固定连接有橡胶垫,且橡胶垫和盖板相适配。
优选的,所述固定块顶部均固定连接有散热片,所述固定块和固定框外侧均固定连接有支撑板。
优选的,所述支撑板顶部均固定连接有螺栓,所述螺栓外侧螺接有螺母,所述螺栓外侧均固定连接有外螺纹,所述螺母内部均开设有内螺纹,且外螺纹和内螺纹相适配。
优选的,所述固定框外侧均固定连接有针脚,且针脚和基板固定连接。
优选的,所述散热片的材质为铝。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)、该基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,通过固定框、盖板和橡胶垫的设置,实现了能够通过固定框、盖板和橡胶垫的配合,装配操作过程简单,而且相对于陶瓷材料,LCP材质的成本更加低廉经济。
(2)、该基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,通过固定块和散热片的设置,实现了能够通过固定块和散热片配合,控制GaN微波功率器件在工作时的温度,进而提高了微波功率器件的稳定性。
附图说明
图1为本发明的正轴测图结构示意图;
图2为本发明的固定框局部剖视图结构示意图;
图3为本发明的主剖视图结构示意图;
图4为本发明的图3中A部分局部放大图结构示意图;
图5为本发明的限位块局部放大图结构示意图。
图中:1、基板;2、固定机构;201、固定框;202、针脚;203、固定块;204、散热片;205、凹槽;206、橡胶垫;207、盖板;208、螺栓;209、支撑板;210、第一斜块;211、螺母;212、限位块;213、滑动条;214、第二斜块;215、滑动槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明的是,在本发明的描述中,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,应当理解,为了便于描述,附图中所示出的各个部件的尺寸并不按照实际的比例关系绘制,例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。
应注意的是,相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义或说明,则在随后的附图的说明中将不需要再对其进行进一步的具体讨论和描述。
如图1-5所示,本发明提供一种技术方案:一种基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构,包括基板1,为LCP材料具有自增强性,具有异常规整的纤维状结构特点,因而不增强的液晶塑料即可达到甚至超过普通工程塑料用百分之几十玻璃纤维增强后的机械强度及其模量的水平,还具有优良的热稳定性、耐热性及耐化学药品性,对大多数塑料存在的蠕变特点,液晶材料可以忽略不计,而且耐磨、减磨性均优异,耐气候性和耐辐射性良好,具有优异的阻燃性,能熄灭火焰而不再继续进行燃烧,具有优良的电绝缘性能,其介电强度比一般工程塑料高,耐电弧性良好,突出的耐腐蚀性能,,对于工业溶剂、燃料油、洗涤剂及热水,接触后不会被溶解,也不会引起应力开裂,GaN是5G时代的一个理想半导体材料,因为其拥有高效、高功率、高导热系数和大带宽等优势,非常适合5G的应用,进而GaN适应了5G高频的需求,基板1顶部固定连接有固定机构2,固定机构2包括固定框201,固定框201内部开设有凹槽205,凹槽205内部均固定连接有限位块212,限位块212内部开设有滑动槽215,滑动槽215内部滑动连接有滑动条213,且滑动条213一侧和盖板207固定连接,滑动槽215和滑动条213配合控制向下移动的方向,凹槽205底部固定连接有橡胶垫206,且橡胶垫206和盖板207相适配,固定框201内部固定连接有盖板207,盖板207顶部固定连接有固定块203,固定块203顶部均固定连接有散热片204,散热片204的材质为铝,具有良好的导热性,固定块203和固定框201外侧均固定连接有支撑板209,支撑板209顶部均固定连接有螺栓208,螺栓208外侧螺接有螺母211,螺栓208外侧均固定连接有外螺纹,螺母211内部均开设有内螺纹,且外螺纹和内螺纹相适配,盖板207外侧均固定连接有第二斜块214,固定框201内部均固定连接有第一斜块210,且第二斜块214和第一斜块210相适配,固定框201外侧均固定连接有针脚202,且针脚202和基板1固定连接,进而使得GaN芯片和控制芯片连接,实现交互。
当制作此设备时,首先将GaN微波芯片固定在基板1顶部,进而将固定框201固定在GaN微波芯片外侧,同时利用针脚202将GaN微波芯片和基板1相连接,进而将盖板207放入凹槽205中,同时使得滑动条213和限位块212内部的滑动槽215相配合进行限位,进而向下按压盖板207顶部,使得盖板207沿着滑动槽215向下移动,进而第一斜块210挤压第二斜块214使得盖板207产生形变向内收缩,进而继续按压使得第二斜块214移动至第一斜块210底部,同时盖板207恢复,从而使得第一斜块210和第二斜块214相固定,同时第一斜块210向下挤压盖板207使得盖板207底部充分和橡胶垫206接触确保密封,进而将固定块203通过螺栓208和螺母211配合安装在盖板207顶部,从而完成安装。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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