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公开/公告号CN215183931U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 河北博威集成电路有限公司;
申请/专利号CN202120965780.9
发明设计人 黎荣林;王静辉;崔健;段磊;郭跃伟;
申请日2021-05-08
分类号H01L23/40(20060101);H01L23/367(20060101);
代理机构13157 河北智酷知创知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人武哲
地址 050000 河北省石家庄市鹿泉区开发区昌盛大街21号
入库时间 2022-08-23 03:14:30
机译: 门宽大的基于GAN的微波功率器件及其制造方法
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
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