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袁明文;
中国电子学会;
氮化镓器件; 晶体管; 微波功率器件;
机译:用于微波功率和高温应用的AlGaN / GaN / BGaN / GaN / Si HEMT的DC和RF特性优化
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:与GaN一维晶格匹配的非极性和半极性AlInN,用于实现松弛的缓冲层,用于基于光学的GaN器件中的应变工程
机译:用于无线通信系统的GaN电子器件的最新进展
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:用于光子器件的三维六边形GaN结构中a面的形成
机译:用于微波功率电路设计的GaN器件的表征和建模
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
机译:门宽大的基于GAN的微波功率器件及其制造方法
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