晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构

摘要

本发明公开了一种晶圆凸块下金属化的镀层制造工艺及其镀层结构，该工艺中的基材为硅或者碳化硅半导体；该基材表面上设置有导电线路区和非导电区，基材表面的导电线路区向下凹陷后形成一倒状的晶圆凸块。本发明该发明采用的化学镀锡合金工艺得到镀层为化学置换型镀层，不需要通电，也非传统的化学自催化反应，仅需要置换反应就可以进行。采用该发明的得到凸块下金属化(UBM)和再布线(RDL)既可以具有绑定性，也具有良好的焊接性。