基于T型栅结构的PN结栅控氧化镓场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于T型栅结构的PN结栅控氧化镓场效应晶体管，主要解决目前n型氧化镓场效应晶体管击穿电压较低、泄漏电流较大且不易关断的问题。其自下而上包括：衬底、n‑Ga2O3层，n‑Ga2O3层内部的两边设有离子注入区；n‑Ga2O3层上部的两端设有源电极和漏电极，靠近源电极的区域设有T型栅；n‑Ga2O3层与T型栅之间设有p型NiO薄膜层，该薄膜与n‑Ga2O3层构成p‑n结；该T型栅分别与源电极和漏电极间的n‑Ga2O3层之上设有Al2O3层，在Al2O3层上设有SiN钝化层。本发明提高了器件的击穿电压，减小了泄漏电流，可用于制备高耐压、低功耗的常关型氧化镓器件。