机译:基于非对称双栅Ge / GaAs-异质结隧穿场效应晶体管的无电容器单晶体管动态随机存取存储器,具有n掺杂的升压层和漏极-下覆结构
Kyungpook Natl Univ, Sch Elect Engn, Taegu 702701, South Korea;
Kyungpook Natl Univ, Sch Elect Engn, Taegu 702701, South Korea;
Kyungpook Natl Univ, Sch Elect Engn, Taegu 702701, South Korea;
机译:基于双栅极金属 - 氧化物半导体场效应晶体管的电容无电动随机接入存储器,具有Si / SiGe异质结和下划线结构,提高感测余量和保留时间
机译:多晶硅金属氧化物半导体场效应基于晶体管堆叠的多层单层一晶体管,具有用于嵌入式系统的双栅极结构的双栅极结构
机译:基于双栅GaAs无结晶体管的无电容单晶体管动态随机存取存储器
机译:使用单金属/双金属双栅极隧道场效应晶体管附近使用袋植入靠近应变SiGe / Si源附近的驱动电流提升
机译:基于层状材料及其异质结构的场效应晶体管中的电荷传输。
机译:一种新颖的单晶体管动态随机存取存储器(1T DRAM)具有部分插入的宽带隙双壁垒适用于高温应用
机译:基于有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器作为电荷输送和捕获层的五苯甲酸/ P13 /五苯二烯异质结构