提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法

摘要

本发明提供一种提高多栅晶体管中厚栅介质层性能的方法，所述多栅晶体管包括至少两个栅介质层，其中厚栅介质层是一次生长形成的，避免厚栅介质层多次生长过程中引起的厚栅介质层性能降低。