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赵旭荣;
山东大学;
介电材料; 有机薄膜晶体管; 制备工艺; 电学性能;
机译:无羟基聚苯乙烯缓冲层对具有高k氧化物栅介质的并五苯类薄膜晶体管电性能的影响
机译:以图案化聚酰亚胺光刻胶为栅电介质的并五苯薄膜晶体管的制备及其降解研究
机译:CF_4等离子体处理具有HfO_2栅介质的并五苯有机薄膜晶体管的性能改进
机译:使用磷化铟铝作为栅介质的亚微米栅长砷化镓沟道MOSFET的制备和性能。
机译:并五苯薄膜晶体管栅绝缘子的聚(4-乙烯基苯酚)交联过程的快速低功率微波感应加热方案研究
机译:高κHfLaON作为栅介质的高性能并五苯薄膜晶体管
机译:二氧化硅热氮化制备薄氧氮化物栅介质的性能
机译:并五苯前体,并五苯,其制备方法,使用它们的有机薄膜晶体管
机译:并五苯前体,并五苯,它们的制备方法,使用它们的有机薄膜晶体管
机译:具有栅绝缘层的不同厚度的金属氧化物半导体场效应晶体管器件的形成方法,该不同厚度的层可以改善低电压金属氧化物半导体场效应晶体管器件和高电压金属氧化物半导体器件的性能
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