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首页> 外文OA文献 >Investigation of the Electrical Properties of Double-Gate Dual-Active-Layer (DG-DAL) Thin-Film Transistor (TFT) with HfO-=SUB=-2-=/SUB=-/La-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/HfO-=SUB=-2-=/SUB=- (HLH) Sandwich Gate Dielectrics
【2h】

Investigation of the Electrical Properties of Double-Gate Dual-Active-Layer (DG-DAL) Thin-Film Transistor (TFT) with HfO-=SUB=-2-=/SUB=-/La-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=-/HfO-=SUB=-2-=/SUB=- (HLH) Sandwich Gate Dielectrics

机译：用HFO-= sub = -2 - = / sub = - / la-= sub = -2- =的双栅双极层（DG-DAL）薄膜晶体管（TFT）电性能的研究。 / sub = -o- = sub = -3 - = / sub = - / hfo-= sub = -2 - = / sub = - （HLH）三明治栅极电介质

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