一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺

摘要

本发明提供一种带有钝化层的GaN‑HEMT芯片的制作工艺，其中由GaN外延片为原材料，通过MESA光刻工艺，进行ICP刻蚀，然后在MESA后的外延片上涂一层光刻胶，用SD光刻板在MESA后的外延片上形成SD电极的图形，然后进行金属淀积，形成欧姆接触；制作G极金属，形成肖特基接触，则完成G极制作；以等离子增强化学气相沉积（PECVD）方式在氮化镓铝层外层形成一层钝化层，钝化层厚度高于S、D电极的高度；定点刻蚀覆盖于电极区上方的钝化层，露出钝化层；优点为：本发明有效抑制电流崩塌、提升击穿电压。