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席善斌; 裴选; 迟雷; 尹丽晶; 高东阳; 彭浩; 黄杰;
中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051;
国家半导体器件质量监督检验中心 石家庄 050051;
GaNHEMT; 辐射效应; 钝化层; 二维电子气; 可靠性;
机译:SiN钝化层对AIGaN / AIN / GaN场效应晶体管中非门控二维电子气密度的影响
机译:SiN钝化层对AlGaN / AlN / GaN场效应晶体管中非门控二维电子气密度的影响
机译:使用低压CVD沉积的SiN_x表面钝化层,具有降低的泄漏和电流崩塌效应的高压GaN-on-Si异质结FET
机译:使用AlN / SiN作为栅极介电层和钝化层的低电流塌陷和低泄漏GaN MIS-HEMT
机译:钝化效应对烷基钝化机械化学合成的硅纳米晶体的分离和光学性能的影响。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:使用ALN / SIN作为栅极电介质和钝化层的低电流折叠和低泄漏GaN MIS-HEMT
机译:铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应
机译:场效应钝化层形成用组合物,具有场效应钝化层的半导体基板,具有场效应钝化层的半导体基板的制造方法,太阳能电池元件,太阳能电池元件的制造方法以及太阳能电池
机译:光电半导体芯片激光二极管芯片具有包括辐射穿透表面的半导体主体,该辐射穿透表面被钝化层覆盖,其中钝化层包含例如铝,镍,锌,镍,锌,镍,铁,镍等的材料。氮化铝
机译:用于保持环境影响的半导体组件尽可能小的湿度具有钝化层,该钝化层覆盖了其下方的金属区域并具有泪液捕获结构
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