机译:具有AlN /的高压(600V)低泄漏低电流塌陷AlGaN / GaN HEMTs
机译:GaN基MIS-HEMT中AlN / SiN x sub>钝化与LPCVD-SiN x sub>栅介质的相容性
机译:MOCVD原位SiN_x栅极电介质用于Si上的低漏电流超薄势垒AlN / GaN MISHEMT
机译:使用AlN / SiN作为栅极介电层和钝化层的低电流塌陷和低泄漏GaN MIS-HEMT
机译:为改善AlGaN / GaN MOS-HFET中的阈值电压稳定性和电流崩塌抑制而研究ALD介电材料的研究。
机译:使用极薄的栅极介电层综合电离剂量效应的全电离剂量效应
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明