AlGaN/GaN HEMT SiN场板厚度对击穿电压的影响

摘要

第三代半导体GaN材料具有禁带宽度大、击穿场强度高、电子饱和速度大、导热性能好等优点。通过在GaN材料中掺杂Al元素制作而成的AlGaN/GaNHEMT器件集成了GaN的诸多优点,已在大功率微波器件领域得到了广泛的关注和研究。实验证明场板结构的引入能够有效地减小AlGaN/GaNHEMT器件栅下峰值电场强度,提升器件的穿电压,本文通过仿真实验具体分析了不同SiN场板厚度对AlGaN/GaNHEMT器件击穿电压的影响。