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机译:SiN钝化层对AIGaN / AIN / GaN场效应晶体管中非门控二维电子气密度的影响
Research Institute for Applied Physics & Astronomy, University of Tabriz, Tabriz 51665-163, Iran School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley,WA 6009, Australia;
School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, The University of Western Australia, Crawley,WA 6009, Australia;
机译:SiN钝化层对AlGaN / AlN / GaN场效应晶体管中非门控二维电子气密度的影响
机译:具有AIN或SiN表面钝化的AIGaN / GaN异质结场效应晶体管的延迟时间分析
机译:具有SiN / AI_2O_3钝化的硅上的AIGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的表面漏电流降低和俘获效应
机译:通过氨MBE在高温AIN / AIGAN缓冲层上生长的DHFET通道的低位脱位密度和高迁移率GaN层。
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:Algan / GaN高电子移动晶体管的SIN X和ALN钝化的研究:界面陷阱和极化电荷的作用
机译:al(sub x)Ga(sub 1-x)N / GaN调制掺杂场效应晶体管低能电子辐射效应分析