具有高k电荷俘获层的存储器单元

摘要

本文公开了包含具有高k电荷存储区域的存储器单元的非易失性存储器件，以及其制造方法。电荷存储区域具有三层或更多层的电介质材料。至少一层是高k材料。(多个)高k层具有比Si3N4更高的陷阱密度。电荷存储区域中的高k电介质增强了与存储器单元沟道的电容耦合，其可以改善存储器单元电流、编程速度和擦除速度。电荷存储区域具有高‑低‑高的导带偏移，其可以改善数据保持。电荷存储区域具有低‑高‑低的价带偏移，其可以改善擦除。