首页> 中国专利> 具使蚀刻速度均匀分布的阴极的掩模蚀刻等离子体反应器

具使蚀刻速度均匀分布的阴极的掩模蚀刻等离子体反应器

摘要

一种用于蚀刻工件诸如矩形或正方形的掩模的等离子体反应器,包括具有顶部和侧壁的真空腔室和在包括阴极的腔室内的工件支撑底座,其中该阴极具有用于支撑工件的表面,该表面包含多个各个区域,该表面的各个区域由不同电学特性的各个材料形成。区域可以相对于晶圆支撑底座的对称轴同心排列。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-19

    授权

    授权

  • 2012-01-18

    著录事项变更 IPC(主分类):G03F 7/20 变更前: 变更后: 申请日:20070720

    著录事项变更

  • 2009-12-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-05-07

    公开

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