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公开/公告号CN109155280A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 应用材料公司;
申请/专利号CN201780029159.8
发明设计人 W·李;J·S·帕帕努;R·克里希纳穆希;P·库马尔;B·伊顿;A·库马尔;A·N·雷纳;
申请日2017-04-27
分类号
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人汪骏飞
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 09:48:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/78 申请日:20170427
实质审查的生效
2019-01-04
公开
机译: 使用混合激光划线和等离子体蚀刻方法在晶片切割中激光划线沟槽打开控制
机译: 使用空间多聚焦激光束激光划线处理和等离子体蚀刻工艺的混合晶片切割方法
机译:一种超快激光切割和高密度等离子体蚀刻与薄硅晶片切割的水溶性掩模的混合方法
机译:开发用于最大掩模蚀刻的过程配方和具有垂直侧壁的最大蚀刻速率,用于深度,高度各向异性电感耦合等离子体(ICP)蚀刻熔融二氧化硅的蚀刻
机译:镍和铜的蚀刻掩模选择性对碳化硅(SIC)深,各向异性等离子体蚀刻过程的蚀刻掩模选择性
机译:使用无掩模局部大气压等离子体蚀刻工艺对AT切割石英晶片进行均匀化处理
机译:激光切割和蚀刻纺织品和服装设计:在服装设计创作过程中实施激光切割和蚀刻的方法和文档的实验研究。
机译:用ErCr:YSGG激光蚀刻和常规酸蚀刻对附着的切牙片段的剪切粘结强度的比较:体外研究
机译:使用蚀刻晶片的等离子体蚀刻速率的原位测量
机译:等离子体和离子蚀刻用于失效分析。第2部分。使用Technics Giga Etch 100-E等离子蚀刻系统对塑料封装和其他半导体器件材料进行蚀刻